甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 卫炀 ; 马文全 ; 张艳华 ; 曹玉莲 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2012-02-17 |
| 专利申请号 | CN201210036863.5 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25362]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卫炀,马文全,张艳华,等. 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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