一种II型III-V族量子点材料的生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 崔凯 ; 马文全 ; 张艳华 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2013-07-31 |
| 申请日期 | 2013-05-02 |
| 专利申请号 | CN201310157823.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25629]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔凯,马文全,张艳华. 一种II型III-V族量子点材料的生长方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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