基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
文献类型：专利
| 作者 | 宋国峰 ; 许斌宗 ; 韦欣 ; 刘杰涛 ; 相春平 ; 付东 ; 徐云 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2014-07-23 |
| 申请日期 | 2014-05-04 |
| 专利申请号 | CN201410184396.X |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25673]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋国峰,许斌宗,韦欣,等. 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。