Optics Letters-Intense 2.8 μm emission of Ho3+ doped PbF2 single crystal
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang PX(张沛雄) ; Yin JG(尹继刚) ; Zhang BT(张百涛) ; Zhang LH(张连翰) ; He JL(何京良) ; Hang Y(杭寅) |
| 刊名 | Optics Letters
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| 出版日期 | 2014-06-26 |
| 卷号 | 39期号:13页码:3942-3945 |
| 公开日期 | 2014-11-21 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/11416]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_中科院强激光材料重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang PX,Yin JG,Zhang BT,et al. Optics Letters-Intense 2.8 μm emission of Ho3+ doped PbF2 single crystal[J]. Optics Letters,2014,39(13):3942-3945. |
| APA | 张沛雄,尹继刚,张百涛,张连翰,何京良,&杭寅.(2014).Optics Letters-Intense 2.8 μm emission of Ho3+ doped PbF2 single crystal.Optics Letters,39(13),3942-3945. |
| MLA | 张沛雄,et al."Optics Letters-Intense 2.8 μm emission of Ho3+ doped PbF2 single crystal".Optics Letters 39.13(2014):3942-3945. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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