Electric field driven plasmon dispersion in AlGaN_GaN high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tan RB(谭仁兵) ; Qin H(秦华) ; Zhang XY(张晓渝) ; Xu W(徐文) |
| 刊名 | chin.phys.b
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 22期号:11 |
| 公开日期 | 2014-11-11 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/12365]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tan RB,Qin H,Zhang XY,et al. Electric field driven plasmon dispersion in AlGaN_GaN high electron mobility transistors[J]. chin.phys.b,2013,22(11). |
| APA | 谭仁兵,秦华,张晓渝,&徐文.(2013).Electric field driven plasmon dispersion in AlGaN_GaN high electron mobility transistors.chin.phys.b,22(11). |
| MLA | 谭仁兵,et al."Electric field driven plasmon dispersion in AlGaN_GaN high electron mobility transistors".chin.phys.b 22.11(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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