Electric field driven plasmon dispersion in AIGaN/GaN high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tan RB(谭仁兵) ; Qin H(秦华) ; Zhang XY(张晓渝) ; Xu W(徐文) |
| 刊名 | 《中国物理b：英文版》
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| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 11页码:524-527 |
| 学科主题 | 等离子体物理 |
| 公开日期 | 2014-11-20 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/12553]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tan RB,Qin H,Zhang XY,et al. Electric field driven plasmon dispersion in AIGaN/GaN high electron mobility transistors[J]. 《中国物理b：英文版》,2013(11):524-527. |
| APA | Tan RB,Qin H,Zhang XY,&Xu W.(2013).Electric field driven plasmon dispersion in AIGaN/GaN high electron mobility transistors.《中国物理b：英文版》(11),524-527. |
| MLA | Tan RB,et al."Electric field driven plasmon dispersion in AIGaN/GaN high electron mobility transistors".《中国物理b：英文版》 .11(2013):524-527. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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