超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应
文献类型：会议论文
| 作者 | 余学峰
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| 出版日期 | 2012 |
| 会议名称 | 第十届全国博士生学术年会 |
| 会议日期 | 2012 |
| 会议地点 | 济南 |
| 关键词 | SOI 超深亚微米 寄生双极效应 背栅晶体管 沟道长度 热载流子效应 |
| 页码 | 200-200 |
| 中文摘要 | 本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究。实验结果表明：关态应力条件下，浮体超深亚微米SOl器件具有明显的热载流子效应，其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因；与前栅晶体管一样，背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流子效应，我们认为其产生明显热载流子效应的机理与前栅晶体管相同。相同应力条件下，沟道长度越短，热载流子效应越强，原因在于沟道长度直接决定了寄生双极效应的强度。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3624]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余学峰. 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应[C]. 见:第十届全国博士生学术年会. 济南. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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