二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
文献类型：专利
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| 作者 | 叶长辉 ; 李淑鑫; 滕大勇
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| 发表日期 | 2014-12-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 公开日期 | 2014-12-19 |
| 申请日期 | 2012-12-14 |
| 专利申请号 | CN201210543709.7 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/13215]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶长辉,李淑鑫,滕大勇. 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法. 2014-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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