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频率可调的MEMS谐振器

文献类型:专利

作者骆伟 ; 赵晖 ; 袁泉 ; 杨晋玲 ; 杨富华
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题微电子学
公开日期2013-10-02
申请日期2013-07-22
专利申请号CN201310306960.6
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25827]  
专题半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
骆伟,赵晖,袁泉,等. 频率可调的MEMS谐振器.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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