基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈善强; 师立勤 |
| 刊名 | 空间科学学报
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 31期号:4页码:498-502 |
| ISSN号 | 0254-6124 |
| 关键词 | 单粒子效应 三维模拟 |
| 其他题名 | Assessing Single-event-upsets in SRAM Based on TCAD and Geant 4 |
| 通讯作者 | shanqiangchen@126.com |
| 中文摘要 | 基于Geant4和TCAD(Technology-Computer Aided-Design)建立了一套评估静态存储器(SRAM)单粒子效应的方法.该方法利用TCAD软件模拟半导体存储单元对粒子能量沉积的响应,获得SRAM的重离子单粒子翻转截面,并应用蒙特卡罗工具包Geant 4计算质子与硅材料的核反应以及次级粒子在灵敏体积内的能量沉积,进而获得质子的单粒子翻转率.利用该方法,计算了TSMC 0.18mum未加固SRAM的重离子和质子翻转率,通过与同工艺SRAM的重离子实验结果进行比较,初步验证了该方法的有效性.该方法不依赖于地面模拟实验,可以用来评估处于设计阶段的抗辐射加固器件. |
| 英文摘要 | A new method based on Geant4 and Technology Computer Aided Design(TCAD)is described to assess Single Event Upsets(SEU)sensitivity of SRAMs(Static RAM)in the design phase.SRAMs response to radiation and Heavy ion induced upsets was obtained by TCAD simulation instead of ground simulation experiments.Heavy-ion simulation data are fitted by Weibull Function.Then,the energy deposition of secondary particles produced by proton-silicon nuclear reaction was calculated using Geant4 which is based on Monte Carlo method.Finally,the proton-induced upsets can be achieved by combining with Weibull Function.Using this method,the heavy ion and protoninduced SEU rates in TSMC 0.18mum SRAM were calculated,and the results are basically consistent with ground simulation experiments. |
| 学科主题 | 空间环境 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4276159 |
| 公开日期 | 2014-12-15 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/2903]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_空间环境部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈善强,师立勤. 基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估[J]. 空间科学学报,2011,31(4):498-502. |
| APA | 陈善强,&师立勤.(2011).基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估.空间科学学报,31(4),498-502. |
| MLA | 陈善强,et al."基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估".空间科学学报 31.4(2011):498-502. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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