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诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究

文献类型:期刊论文

作者陈善强; 师立勤
刊名核电子学与探测技术
出版日期2011
卷号31期号:2页码:171
关键词电荷分享 节点隔离 多位翻转
ISSN号0258-0934
其他题名Study on Charge Sharing and Multiple-Bit Upset
中文摘要针对TSMC 0.18mum CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分享的影响. 研究结果表明器件周围的区域比漏区更容易诱发多位翻转,因为高能粒子在器件周围区域产生的电子-空穴对在扩散作用下更容易到达各相邻灵敏单元,进而诱发多位翻转;节点隔离可以抑制电荷在相邻灵敏单元间的扩散,能够有效降低电荷收集和多位翻转
英文摘要It simulates charge sharing and charge collection between adjacent devices.Simulation results show that charge sharing is mainly affected by charge diffusion and areas between adjacent devices are more sensitive to MBU than drain area.Charge sharing and MBU can be mitigated by nodal separation
学科主题空间环境
收录类别CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:4171365
公开日期2014-12-15
源URL[http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/2904]  
专题国家空间科学中心_空间环境部
推荐引用方式
GB/T 7714
陈善强,师立勤. 诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究[J]. 核电子学与探测技术,2011,31(2):171.
APA 陈善强,&师立勤.(2011).诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究.核电子学与探测技术,31(2),171.
MLA 陈善强,et al."诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究".核电子学与探测技术 31.2(2011):171.

入库方式: OAI收割

来源:国家空间科学中心

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