基于锁定放大原理的投影光刻检焦技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 谢飞 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2011-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 唐 小 萍 |
| 关键词 | 光学投影光刻 焦深 检焦技术 离焦量 锁定放大法 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，随着光刻技术的不断进步，高密度、高速度和超高频器件层出不穷， 使得集成电路的集成度越做越高，促使微电子技术迅速发展，并带动了计算机、 网络技术、移动通信技术、多媒体传播为代表的信息技术飞速发展。按照摩尔定 律，单位面积硅片上的晶体管集成度以每18 个月翻一番的速度增长，而这直接依 赖光刻技术的发展水平。 在微电子技术发展过程中，由于光学投影光刻技术具有成熟的光刻工艺和巨 大的产业背景，它一直是大规模生产中最关键的工艺技术。随着光学投影光刻分 辨力不断提高，焦深急剧减小，从而对光刻设备的调焦精度提出了更高要求。检 焦技术属于调焦技术中的关键技术，检焦精度直接决定了调焦精度。只有提升检 焦精度，才能促使调焦技术的进一步提高。本文旨在研究探索适合于投影光刻设 备的检焦技术，努力提高检焦分辨率，以适应在更小的焦深条件下进行调焦。 针对光学投影光刻检焦技术，本文主要对检焦系统信号处理部分进行了研究， 着重研究含有硅片离焦量信息的检焦电信号的提取方法。检焦系统中光电探测器 输出的检焦电信号属于微弱信号，需要选择一种适合于该系统的微弱信号检测方 法。本文主要研究了锁定放大法在投影光刻检焦中的应用，分析了锁定放大法在 其中应用的可行性，对该方法进行了建模及仿真，并利用单相模拟锁定放大法对 检焦电信号进行了放大、滤波、调制解调等，得到了我们关心的含有硅片离焦量 信息的检焦电信号的直流分量和交流分量，并结合检焦其他参数，进行了离焦量 的计算。与此同时，本文探索性地研究了双相模拟锁定放大法在投影光刻检焦系 统中应用的前景，并对其进行了仿真验证。最终，通过仿真和实验调试结果，说 明了锁定放大法可以达到纳米量级的检焦精度，并为今后应用于纳米光刻检焦系 统奠定了基础。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-12-11 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/573]  |
| 专题 | 光电技术研究所_光电技术研究所博硕士论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢飞. 基于锁定放大原理的投影光刻检焦技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2011. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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