A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiong W(熊巍) ; Zhou Y(周尧) ; 郭飞云99 ; Chen L(陈良) ; Luo CY(雒彩云) ; Yuan H(袁晖) |
| 刊名 | Journal of Crystal Growth
 |
| 出版日期 | 2013-04-23 |
| 期号 | 377页码:160 |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 其他题名 | A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method |
| 通讯作者 | 袁晖 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 语种 | 中文 |
| WOS记录号 | WOS:000321439700028 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/4668]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_人工晶体研究中心_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiong W,Zhou Y,郭飞云99,et al. A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method[J]. Journal of Crystal Growth,2013(377):160. |
| APA | 熊巍,周尧,郭飞云99,陈良,雒彩云,&袁晖.(2013).A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method.Journal of Crystal Growth(377),160. |
| MLA | 熊巍,et al."A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method".Journal of Crystal Growth .377(2013):160. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。