Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li K(李魁) ; 99 ; Dong XL(董显林) ; Li T(李涛) |
| 刊名 | Appl. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2013-05-28 |
| 卷号 | 102期号:00页码:212901-1 |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 其他题名 | Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology |
| 通讯作者 | 王根水 |
| 学科主题 | 无机非金属材料 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000320620400055 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/4979]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_无机功能材料与器件重点实验室_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li K,99,Dong XL,et al. Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology[J]. Appl. Phys. Lett.,2013,102(00):212901-1. |
| APA | Li K,99,Dong XL,&Li T.(2013).Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology.Appl. Phys. Lett.,102(00),212901-1. |
| MLA | Li K,et al."Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology".Appl. Phys. Lett. 102.00(2013):212901-1. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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