Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang H(王辉) ; Yan CF(严成锋) ; Kong HK(孔海宽) ; Chen JJ(陈建军) ; Xin J(忻隽) ; Shi EW(施尔畏) |
| 刊名 | Chem. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2013-01-15 |
| 卷号 | 1期号:556页码:142 |
| ISSN号 | 0009-2614 |
| 其他题名 | Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC |
| 通讯作者 | 王辉 |
| 学科主题 | 材料科学 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000313644100028 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/5065]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang H,Yan CF,Kong HK,et al. Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC[J]. Chem. Phys. Lett.,2013,1(556):142. |
| APA | Wang H,Yan CF,Kong HK,Chen JJ,Xin J,&Shi EW.(2013).Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC.Chem. Phys. Lett.,1(556),142. |
| MLA | Wang H,et al."Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC".Chem. Phys. Lett. 1.556(2013):142. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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