Study of Nitrogen Concentration in Silicon Carbide
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang H(王辉) ; Yan CF(严成锋) ; Kong HK(孔海宽) ; Chen JJ(陈建军) ; Xin J(忻隽) ; Shi EW(施尔畏) ; Yang JH(杨建华) |
| 刊名 | Journal of ELECTRONIC MATERIALS
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| 出版日期 | 2013-03-06 |
| 卷号 | 42期号:6页码:1037 |
| ISSN号 | 0361-5235 |
| 其他题名 | Study of Nitrogen Concentration in Silicon Carbide |
| 通讯作者 | 王辉 |
| 学科主题 | 材料科学 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000318569300015 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/5066]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang H,Yan CF,Kong HK,et al. Study of Nitrogen Concentration in Silicon Carbide[J]. Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2013,42(6):1037. |
| APA | Wang H.,Yan CF.,Kong HK.,Chen JJ.,Xin J.,...&Yang JH.(2013).Study of Nitrogen Concentration in Silicon Carbide.Journal of ELECTRONIC MATERIALS,42(6),1037. |
| MLA | Wang H,et al."Study of Nitrogen Concentration in Silicon Carbide".Journal of ELECTRONIC MATERIALS 42.6(2013):1037. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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