The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shi B(石彪) ; Zhu MX(朱明星) ; Liu XC(刘学超) ; Yang JH(杨建华) ; Shi EW(施尔畏) |
| 刊名 | J. Mater. Res.
 |
| 出版日期 | 2013-01-14 |
| 卷号 | 28期号:1页码:113 |
| ISSN号 | 0884-2914 |
| 其他题名 | The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition |
| 通讯作者 | 刘学超 |
| 学科主题 | 材料科学 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000313589600016 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/5068]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi B,Zhu MX,Liu XC,et al. The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition[J]. J. Mater. Res.,2013,28(1):113. |
| APA | Shi B,Zhu MX,Liu XC,Yang JH,&Shi EW.(2013).The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition.J. Mater. Res.,28(1),113. |
| MLA | Shi B,et al."The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition".J. Mater. Res. 28.1(2013):113. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。