升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘熙 ; 高攀 ; 严成锋 ; 孔海宽 ; 忻隽 ; 陈建军 ; 施尔畏 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2013-05-15 |
| 卷号 | 42期号:1页码:847 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响 |
| 通讯作者 | 刘熙 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/5071]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘熙,高攀,严成锋,等. 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响[J]. 人工晶体学报,2013,42(1):847. |
| APA | 刘熙.,高攀.,严成锋.,孔海宽.,忻隽.,...&施尔畏.(2013).升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响.人工晶体学报,42(1),847. |
| MLA | 刘熙,et al."升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响".人工晶体学报 42.1(2013):847. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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