Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜涛 ; 严成锋 ; 陈建军 ; 刘熙 ; 杨建华 ; 施尔畏 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2013-05-15 |
| 卷号 | 42期号:1页码:865 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响 |
| 通讯作者 | 严成锋 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-12-18 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/5073]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜涛,严成锋,陈建军,等. Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响[J]. 人工晶体学报,2013,42(1):865. |
| APA | 姜涛,严成锋,陈建军,刘熙,杨建华,&施尔畏.(2013).Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响.人工晶体学报,42(1),865. |
| MLA | 姜涛,et al."Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响".人工晶体学报 42.1(2013):865. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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