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Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films

文献类型:期刊论文

作者D.Y. Jiang ; D Z Shen ; K W Liu ; C.X. Shan ; Y.M. Zhao ; T. Yang ; B. Yao ; Y.M. Lu ; J.Y. Zhang
刊名Semicond. Sci. Technol.
出版日期2008
期号23页码:035002
公开日期2014-10-31
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/41531]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
D.Y. Jiang,D Z Shen,K W Liu,et al. Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films[J]. Semicond. Sci. Technol.,2008(23):035002.
APA D.Y. Jiang.,D Z Shen.,K W Liu.,C.X. Shan.,Y.M. Zhao.,...&J.Y. Zhang.(2008).Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films.Semicond. Sci. Technol.(23),035002.
MLA D.Y. Jiang,et al."Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films".Semicond. Sci. Technol. .23(2008):035002.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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