超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘以暠,冯世琴 |
| 刊名 | 电子技术应用
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 2页码:37-40 |
| 关键词 | NMOS 场效应晶体管 场效应管 反相器 三态逻辑 强型 夹断电压 电路功能 自建电场 等离子体淀积 |
| 中文摘要 | <正> 2.1 增强型与耗尽型NMOS晶体管NMOS集成电路中最小单元是两种场效应晶体管,即增强型和耗尽型NMOS场效应管,分别简称为NMOS(E)和NMOS(D),其符号和结构如图2.1所示。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-01-07 |
| 源URL | [http://ir.ceode.ac.cn/handle/183411/37338]  |
| 专题 | 遥感与数字地球研究所_中文期刊论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘以暠,冯世琴. 超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础[J]. 电子技术应用,1991(2):37-40. |
| APA | 刘以暠,冯世琴.(1991).超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础.电子技术应用(2),37-40. |
| MLA | 刘以暠,冯世琴."超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础".电子技术应用 .2(1991):37-40. |
入库方式： OAI收割
来源：遥感与数字地球研究所
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