超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘以暠,冯世琴 |
| 刊名 | 电子技术应用
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 10页码:40-42 |
| 关键词 | 砷化镓集成电路 电子迁移率 场效应管 数字集成 MESFET 半导体集成电路 夹断电压 截止状态 与非门 输出级 |
| 中文摘要 | <正> 10.1 概述近十年来,数字集成技术在高速和高集成度两个方面的发展十分迅速。由于计算机和数字通信等发展的强烈需求,使超高速集成逻辑成为数字集成技术发展的一个重要前沿,目前认为,砷化镓(GaAs)半导体集成电路,是最有前途的。在第一讲中已经提到,GaAs 材料中的电子迁移率很高,有效质量只是硅材料中电子的7%。GaAs 场效应管(FET)沟道中的电子迁移率要比硅FET 管高 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-01-07 |
| 源URL | [http://ir.ceode.ac.cn/handle/183411/37342]  |
| 专题 | 遥感与数字地球研究所_中文期刊论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘以暠,冯世琴. 超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍[J]. 电子技术应用,1991(10):40-42. |
| APA | 刘以暠,冯世琴.(1991).超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍.电子技术应用(10),40-42. |
| MLA | 刘以暠,冯世琴."超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍".电子技术应用 .10(1991):40-42. |
入库方式： OAI收割
来源：遥感与数字地球研究所
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