Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Dong, Y; Wang, GL; Wang, HP; Ni, HQ; Chen, JH; Gao, FQ; Qiao, ZT; Yang, XH; Niu, ZC |
| 刊名 | chinese physics b
 ; CHINESE PHYSICS B
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 23期号:10页码:104209 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 ; 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26119]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong, Y,Wang, GL,Wang, HP,et al. Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector, Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector[J]. chinese physics b, CHINESE PHYSICS B,2014, 2014,23, 23(10):104209, 104209. |
| APA | Dong, Y.,Wang, GL.,Wang, HP.,Ni, HQ.,Chen, JH.,...&Niu, ZC.(2014).Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector.chinese physics b,23(10),104209. |
| MLA | Dong, Y,et al."Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector".chinese physics b 23.10(2014):104209. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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