Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure
文献类型:期刊论文
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作者 | Zhou, PY; Dou, XM; Wu, XF; Ding, K; Luo, S; Yang, T; Zhu, HJ; Jiang, DS; Sun, BQ |
刊名 | journal of applied physics
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出版日期 | 2014 ; 2014 |
卷号 | 116期号:2页码:023510 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 ; 英语 |
公开日期 | 2015-03-20 ; 2015-03-20 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26045] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou, PY,Dou, XM,Wu, XF,et al. Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure, Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure[J]. journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2014, 2014,116, 116(2):023510, 023510. |
APA | Zhou, PY.,Dou, XM.,Wu, XF.,Ding, K.,Luo, S.,...&Sun, BQ.(2014).Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure.journal of applied physics,116(2),023510. |
MLA | Zhou, PY,et al."Photoluminescence studies on self-organized 1.55-mu m InAs/InGaAsP/InP quantum dots under hydrostatic pressure".journal of applied physics 116.2(2014):023510. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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