The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, SB ; He, Z ; Zheng, L ; Liu, B ; Zhang, F ; Dong, L ; Tian, LX ; Shen, ZW ; Wang, JZ ; Huang, YJ ; Fan, ZC ; Liu, XF ; Yan, GG ; Zhao, WS ; Wang, L ; Sun, GS ; Yang, FH ; Zeng, YP |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 105期号:12页码:122106 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26135]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, SB,He, Z,Zheng, L,et al. The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact[J]. applied physics letters,2014,105(12):122106. |
| APA | Liu, SB.,He, Z.,Zheng, L.,Liu, B.,Zhang, F.,...&Zeng, YP.(2014).The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact.applied physics letters,105(12),122106. |
| MLA | Liu, SB,et al."The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact".applied physics letters 105.12(2014):122106. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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