Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature
文献类型：期刊论文
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| 作者 | He Chao; Liu Zhi; Zhang Xu; Huang Wen-Qi; Xue Chun-Lai; Cheng Bu-Wen |
| 刊名 | chinese physics b
 ; CHINESE PHYSICS B
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 23期号:11页码:116103 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 ; 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26093]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He Chao,Liu Zhi,Zhang Xu,et al. Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature, Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature[J]. chinese physics b, CHINESE PHYSICS B,2014, 2014,23, 23(11):116103, 116103. |
| APA | He Chao,Liu Zhi,Zhang Xu,Huang Wen-Qi,Xue Chun-Lai,&Cheng Bu-Wen.(2014).Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature.chinese physics b,23(11),116103. |
| MLA | He Chao,et al."Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature".chinese physics b 23.11(2014):116103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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