Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luan, CB ; Lin, ZJ ; Lv, YJ ; Zhao, JT ; Wang, YT ; Chen, H ; Wang, ZG |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 116期号:4页码:044507 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-19 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25984]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luan, CB,Lin, ZJ,Lv, YJ,et al. Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors[J]. journal of applied physics,2014,116(4):044507. |
| APA | Luan, CB.,Lin, ZJ.,Lv, YJ.,Zhao, JT.,Wang, YT.,...&Wang, ZG.(2014).Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors.journal of applied physics,116(4),044507. |
| MLA | Luan, CB,et al."Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors".journal of applied physics 116.4(2014):044507. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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