Excitation wavelength dependence of the anomalous circular photogalvanic effect in undoped InGaAs/AlGaAs quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu, LP ; Liu, Y ; Jiang, CY ; Qin, XD ; Li, Y ; Gao, HS ; Chen, YH |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 115期号:8页码:083509 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-19 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25962]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu, LP,Liu, Y,Jiang, CY,et al. Excitation wavelength dependence of the anomalous circular photogalvanic effect in undoped InGaAs/AlGaAs quantum wells[J]. journal of applied physics,2014,115(8):083509. |
| APA | Zhu, LP.,Liu, Y.,Jiang, CY.,Qin, XD.,Li, Y.,...&Chen, YH.(2014).Excitation wavelength dependence of the anomalous circular photogalvanic effect in undoped InGaAs/AlGaAs quantum wells.journal of applied physics,115(8),083509. |
| MLA | Zhu, LP,et al."Excitation wavelength dependence of the anomalous circular photogalvanic effect in undoped InGaAs/AlGaAs quantum wells".journal of applied physics 115.8(2014):083509. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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