Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots
文献类型:期刊论文
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作者 | Li, J; Lou, WK; Zhang, D; Li, XJ; Yang, W; Chang, K |
刊名 | physical review b ; PHYSICAL REVIEW B |
出版日期 | 2014 ; 2014 |
卷号 | 90期号:11页码:115303 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 ; 英语 |
公开日期 | 2015-03-25 ; 2015-03-25 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26181] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, J,Lou, WK,Zhang, D,et al. Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots, Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots[J]. physical review b, PHYSICAL REVIEW B,2014, 2014,90, 90(11):115303, 115303. |
APA | Li, J,Lou, WK,Zhang, D,Li, XJ,Yang, W,&Chang, K.(2014).Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots.physical review b,90(11),115303. |
MLA | Li, J,et al."Single- and few-electron states in topological-insulator quantum dots".physical review b 90.11(2014):115303. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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