Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Cao, YF; Cai, KM; Li, LJ; Lu, WJ; Sun, YP; Wang, KY |
| 刊名 | chinese physics letters
 ; CHINESE PHYSICS LETTERS
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 31期号:7页码:077203 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 ; 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26267]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao, YF,Cai, KM,Li, LJ,et al. Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices, Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices[J]. chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS,2014, 2014,31, 31(7):077203, 077203. |
| APA | Cao, YF,Cai, KM,Li, LJ,Lu, WJ,Sun, YP,&Wang, KY.(2014).Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices.chinese physics letters,31(7),077203. |
| MLA | Cao, YF,et al."Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices".chinese physics letters 31.7(2014):077203. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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