Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Zhang, X; Zhang, DL; Cheng, BW; Liu, Z; Zhang, GZ; Xue, CL; Wang, QM |
| 刊名 | ecs solid state letters
 ; ECS SOLID STATE LETTERS
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 3期号:10页码:p127-p130 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 ; 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26154]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, X,Zhang, DL,Cheng, BW,et al. Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing, Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing[J]. ecs solid state letters, ECS SOLID STATE LETTERS,2014, 2014,3, 3(10):p127-p130, P127-P130. |
| APA | Zhang, X.,Zhang, DL.,Cheng, BW.,Liu, Z.,Zhang, GZ.,...&Wang, QM.(2014).Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing.ecs solid state letters,3(10),p127-p130. |
| MLA | Zhang, X,et al."Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing".ecs solid state letters 3.10(2014):p127-p130. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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