Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, YW ; Zhang, Y ; Guan, M ; Cui, LJ ; Li, YB ; Wang, BQ ; Zhu, ZP ; Zeng, YP |
| 刊名 | applied surface science
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 313页码:479-483 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26203]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, YW,Zhang, Y,Guan, M,et al. Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures[J]. applied surface science,2014,313:479-483. |
| APA | Zhang, YW.,Zhang, Y.,Guan, M.,Cui, LJ.,Li, YB.,...&Zeng, YP.(2014).Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures.applied surface science,313,479-483. |
| MLA | Zhang, YW,et al."Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures".applied surface science 313(2014):479-483. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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