Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Sang, L ; Zhu, QS ; Yang, SY ; Liu, GP ; Li, HJ ; Wei, HY ; Jiao, CM ; Liu, SM ; Wang, ZG ; Zhou, XW ; Mao, W ; Hao, Y ; Shen, B |
| 刊名 | nanoscale research letters
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 9页码:470 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26179]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sang, L,Zhu, QS,Yang, SY,et al. Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy[J]. nanoscale research letters,2014,9:470. |
| APA | Sang, L.,Zhu, QS.,Yang, SY.,Liu, GP.,Li, HJ.,...&Shen, B.(2014).Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy.nanoscale research letters,9,470. |
| MLA | Sang, L,et al."Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy".nanoscale research letters 9(2014):470. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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