Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liang, SH ; Zhang, TT ; Barate, P ; Frougier, J ; Vidal, M ; Renucci, P ; Xu, B ; Jaffres, H ; George, JM ; Devaux, X ; Hehn, M ; Marie, X ; Mangin, S ; Yang, HX ; Hallal, A ; Chshiev, M ; Amand, T ; Liu, HF ; Liu, DP ; Han, XF ; Wang, ZG ; Lu, Y |
| 刊名 | physical review b
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 90期号:8页码:085310 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26229]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang, SH,Zhang, TT,Barate, P,et al. Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector[J]. physical review b,2014,90(8):085310. |
| APA | Liang, SH.,Zhang, TT.,Barate, P.,Frougier, J.,Vidal, M.,...&Lu, Y.(2014).Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector.physical review b,90(8),085310. |
| MLA | Liang, SH,et al."Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector".physical review b 90.8(2014):085310. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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