Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan, JD ; Wang, XL ; Wang, Q ; Qu, SQ ; Xiao, HL ; Peng, EC ; Kang, H ; Wang, CM ; Feng, C ; Yin, HB ; Jiang, LJ ; Li, BQ ; Wang, ZG ; Hou, X |
| 刊名 | journal of applied physics
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 116期号:5页码:054502 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26241]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan, JD,Wang, XL,Wang, Q,et al. Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation[J]. journal of applied physics,2014,116(5):054502. |
| APA | Yan, JD.,Wang, XL.,Wang, Q.,Qu, SQ.,Xiao, HL.,...&Hou, X.(2014).Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation.journal of applied physics,116(5),054502. |
| MLA | Yan, JD,et al."Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation".journal of applied physics 116.5(2014):054502. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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