Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, WY ; Jin, P ; Liu, GP ; Li, W ; Liu, B ; Liu, XF ; Wang, ZG |
| 刊名 | chinese physics b
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 23期号:8页码:087810 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26246]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, WY,Jin, P,Liu, GP,et al. Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical[J]. chinese physics b,2014,23(8):087810. |
| APA | Wang, WY.,Jin, P.,Liu, GP.,Li, W.,Liu, B.,...&Wang, ZG.(2014).Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical.chinese physics b,23(8),087810. |
| MLA | Wang, WY,et al."Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical".chinese physics b 23.8(2014):087810. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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