Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng, YX ; Wei, HY ; Yang, SY ; Zhang, H ; Kong, SS ; Zhao, GJ ; Liu, XL |
| 刊名 | crystengcomm
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 16期号:32页码:7525-7528 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26149]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, YX,Wei, HY,Yang, SY,et al. Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer[J]. crystengcomm,2014,16(32):7525-7528. |
| APA | Feng, YX.,Wei, HY.,Yang, SY.,Zhang, H.,Kong, SS.,...&Liu, XL.(2014).Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer.crystengcomm,16(32),7525-7528. |
| MLA | Feng, YX,et al."Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer".crystengcomm 16.32(2014):7525-7528. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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