Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin, DD ; Wang, LS ; Yang, SY ; Zhang, LW ; Li, HJ ; Zhang, H ; Wang, JX ; Xiang, RF ; Wei, HY ; Jiao, CM ; Liu, XL ; Zhu, QS ; Wang, ZG |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 115期号:4页码:043702 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26066]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin, DD,Wang, LS,Yang, SY,et al. Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures[J]. journal of applied physics,2014,115(4):043702. |
| APA | Jin, DD.,Wang, LS.,Yang, SY.,Zhang, LW.,Li, HJ.,...&Wang, ZG.(2014).Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures.journal of applied physics,115(4),043702. |
| MLA | Jin, DD,et al."Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures".journal of applied physics 115.4(2014):043702. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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