Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Wu, K; Wei, TB; Lan, D; Zheng, HY; Wang, JX; Luo, Y; Li, JM |
| 刊名 | chinese physics b
 ; CHINESE PHYSICS B
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 23期号:2页码:028504 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 ; 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26054]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu, K,Wei, TB,Lan, D,et al. Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography, Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography[J]. chinese physics b, CHINESE PHYSICS B,2014, 2014,23, 23(2):028504, 028504. |
| APA | Wu, K.,Wei, TB.,Lan, D.,Zheng, HY.,Wang, JX.,...&Li, JM.(2014).Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography.chinese physics b,23(2),028504. |
| MLA | Wu, K,et al."Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography".chinese physics b 23.2(2014):028504. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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