Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Yang, JK; Wei, TB; Huo, ZQ; Hu, Q; Zhang, YH; Duan, RF; Wang, JX |
| 刊名 | journal of crystal growth
 ; JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 387页码:101-105 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-03-20 ; 2015-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26064]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, JK,Wei, TB,Huo, ZQ,et al. Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres, Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres[J]. journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2014, 2014,387, 387:101-105, 101-105. |
| APA | Yang, JK.,Wei, TB.,Huo, ZQ.,Hu, Q.,Zhang, YH.,...&Wang, JX.(2014).Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres.journal of crystal growth,387,101-105. |
| MLA | Yang, JK,et al."Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres".journal of crystal growth 387(2014):101-105. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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