InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by MBE on Artificial GaAs/Si(001) Substrates
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Emel; Kokhanenko, AP; Abramkin, DS; Pchelyakov, OP; Putyato, MA; Semyagin, BR; Preobrazhenskii, VV; Vasilenko, AP; Feklin, DF; Niu, ZC |
| 刊名 | russian physics journal
 ; RUSSIAN PHYSICS JOURNAL
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 57期号:3页码:359-363 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2015-04-02 ; 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26287]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Emel,Kokhanenko, AP,Abramkin, DS,et al. InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by MBE on Artificial GaAs/Si(001) Substrates, InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by MBE on Artificial GaAs/Si(001) Substrates[J]. russian physics journal, RUSSIAN PHYSICS JOURNAL,2014, 2014,57, 57(3):359-363, 359-363. |
| APA | Emel.,Kokhanenko, AP.,Abramkin, DS.,Pchelyakov, OP.,Putyato, MA.,...&Ni, HQ.(2014).InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by MBE on Artificial GaAs/Si(001) Substrates.russian physics journal,57(3),359-363. |
| MLA | Emel,et al."InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by MBE on Artificial GaAs/Si(001) Substrates".russian physics journal 57.3(2014):359-363. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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