Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Huo, NJ; Yang, SX; Wei, ZM; Li, SS; Xia, JB; Li, JB |
| 刊名 | scientific reports
 ; SCIENTIFIC REPORTS
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 4页码:5209 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 ; 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26387]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo, NJ,Yang, SX,Wei, ZM,et al. Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes, Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes[J]. scientific reports, SCIENTIFIC REPORTS,2014, 2014,4, 4:5209, 5209. |
| APA | Huo, NJ,Yang, SX,Wei, ZM,Li, SS,Xia, JB,&Li, JB.(2014).Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes.scientific reports,4,5209. |
| MLA | Huo, NJ,et al."Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes".scientific reports 4(2014):5209. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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