中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding

文献类型:期刊论文

;
作者Nan, HY; Wang, ZL; Wang, WH; Liang, Z; Lu, Y; Chen, Q; He, DW; Tan, PH; Miao, F; Wang, XR
刊名acs nano ; ACS NANO
出版日期2014 ; 2014
卷号8期号:6页码:5738-5745
学科主题半导体物理 ; 半导体物理
收录类别SCI
语种英语 ; 英语
公开日期2015-04-02 ; 2015-04-02
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26418]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Nan, HY,Wang, ZL,Wang, WH,et al. Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding, Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding[J]. acs nano, ACS NANO,2014, 2014,8, 8(6):5738-5745, 5738-5745.
APA Nan, HY.,Wang, ZL.,Wang, WH.,Liang, Z.,Lu, Y.,...&Ni, ZH.(2014).Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding.acs nano,8(6),5738-5745.
MLA Nan, HY,et al."Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding".acs nano 8.6(2014):5738-5745.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。