Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | Xing, JL; Zhang, Y; Liao, YP; Wang, J; Xiang, W; Xu, YQ; Wang, GW; Ren, ZW; Niu, ZC |
| 刊名 | chinese physics letters
 ; CHINESE PHYSICS LETTERS
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 31期号:5页码:054204 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 ; 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26316]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xing, JL,Zhang, Y,Liao, YP,et al. Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density, Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density[J]. chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS,2014, 2014,31, 31(5):054204, 054204. |
| APA | Xing, JL.,Zhang, Y.,Liao, YP.,Wang, J.,Xiang, W.,...&Niu, ZC.(2014).Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density.chinese physics letters,31(5),054204. |
| MLA | Xing, JL,et al."Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density".chinese physics letters 31.5(2014):054204. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。