Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Horzum, S; Cakir, D; Suh, J; Tongay, S; Huang, YS; Ho, CH; Wu, J; Sahin, H; Peeters, FM |
| 刊名 | physical review b
 ; PHYSICAL REVIEW B
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 89期号:15页码:155433 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 ; 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26398]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Horzum, S,Cakir, D,Suh, J,et al. Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide, Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide[J]. physical review b, PHYSICAL REVIEW B,2014, 2014,89, 89(15):155433, 155433. |
| APA | Horzum, S.,Cakir, D.,Suh, J.,Tongay, S.,Huang, YS.,...&Peeters, FM.(2014).Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide.physical review b,89(15),155433. |
| MLA | Horzum, S,et al."Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide".physical review b 89.15(2014):155433. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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