Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, JM ; Zhang, XZ ; Piao, HG ; Luo, ZC ; Xiong, CY ; Wang, XF ; Yang, FH |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 104期号:24页码:243511 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26317]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, JM,Zhang, XZ,Piao, HG,et al. Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device[J]. applied physics letters,2014,104(24):243511. |
| APA | Wang, JM.,Zhang, XZ.,Piao, HG.,Luo, ZC.,Xiong, CY.,...&Yang, FH.(2014).Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device.applied physics letters,104(24),243511. |
| MLA | Wang, JM,et al."Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device".applied physics letters 104.24(2014):243511. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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