Amorphous zinc-doped silicon oxide (SZO) resistive switching memory: manipulated bias control from selector to memristor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huang, JS ; Yen, WC ; Lin, SM ; Lee, CY ; Wu, J ; Wang, ZM ; Chin, TS ; Chueh, YL |
| 刊名 | journal of materials chemistry c
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 2期号:22页码:4401-4405 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26323]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huang, JS,Yen, WC,Lin, SM,et al. Amorphous zinc-doped silicon oxide (SZO) resistive switching memory: manipulated bias control from selector to memristor[J]. journal of materials chemistry c,2014,2(22):4401-4405. |
| APA | Huang, JS.,Yen, WC.,Lin, SM.,Lee, CY.,Wu, J.,...&Chueh, YL.(2014).Amorphous zinc-doped silicon oxide (SZO) resistive switching memory: manipulated bias control from selector to memristor.journal of materials chemistry c,2(22),4401-4405. |
| MLA | Huang, JS,et al."Amorphous zinc-doped silicon oxide (SZO) resistive switching memory: manipulated bias control from selector to memristor".journal of materials chemistry c 2.22(2014):4401-4405. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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