Electron transport characteristics of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching
文献类型：期刊论文
| 作者 | Qi, YY ; Wang, Z ; Zhang, ML ; Wang, XD ; Ji, A ; Yang, FH |
| 刊名 | aip advances
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 4期号:3页码:031307 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26349]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Qi, YY,Wang, Z,Zhang, ML,et al. Electron transport characteristics of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching[J]. aip advances,2014,4(3):031307. |
| APA | Qi, YY,Wang, Z,Zhang, ML,Wang, XD,Ji, A,&Yang, FH.(2014).Electron transport characteristics of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching.aip advances,4(3),031307. |
| MLA | Qi, YY,et al."Electron transport characteristics of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching".aip advances 4.3(2014):031307. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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