Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Liu, Z; Li, YM; He, C; Li, CB; Xue, CL; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM |
| 刊名 | applied physics letters
 ; APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 104期号:19页码:191111 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2015-04-02 ; 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26301]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Z,Li, YM,He, C,et al. Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate, Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate[J]. applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS,2014, 2014,104, 104(19):191111, 191111. |
| APA | Liu, Z.,Li, YM.,He, C.,Li, CB.,Xue, CL.,...&Wang, QM.(2014).Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate.applied physics letters,104(19),191111. |
| MLA | Liu, Z,et al."Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate".applied physics letters 104.19(2014):191111. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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