The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Du, WN ; Yang, XG ; Wang, XY ; Pan, HY ; Ji, HM ; Luo, S ; Yang, T ; Wang, ZG |
| 刊名 | journal of crystal growth
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 396页码:33-37 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26319]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Du, WN,Yang, XG,Wang, XY,et al. The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy[J]. journal of crystal growth,2014,396:33-37. |
| APA | Du, WN.,Yang, XG.,Wang, XY.,Pan, HY.,Ji, HM.,...&Wang, ZG.(2014).The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy.journal of crystal growth,396,33-37. |
| MLA | Du, WN,et al."The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy".journal of crystal growth 396(2014):33-37. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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